采集日期:2026-05-13
- KIOXIA e-MMC 产品简介: 给出
THGBMNG5D1LBAIT、THGBMUG8C2LBAIL、THGAMVT0T43BAIR、THGBMJG8C4LBAU8等料号、容量、eMMC 版本、FG NAND / BiCS 闪存、400 MB/s、温区和封装。 https://www.kioxia.com/content/dam/kioxia/shared/business/memory/mlc-nand/asset/productbrief/KIOXIA_e-MMC_Product_Brief.pdf - KIOXIA Memory Selector: 给出消费级、工业级、车规 e-MMC 表,包含
THGAMVT1T83BAB5、THGAMVT0T43BAA8等车规型号。 https://americas.kioxia.com/en-us/business/memory/selector.html - KIOXIA Embedded Flash Memory 产品手册给出车规 e-MMC 5.1 的等级 2 / 等级 3 全容量产品系列:
THGAMVG8T13BAB7/THGAMVG8T13BAA7、THGAMVG9T23BAB8/THGAMVG9T23BAA8、THGAMVT0T43BAB8/THGAMVT0T43BAA8、THGAMVT1T83BAB5/THGAMVT1T83BAA5,分别覆盖 32GB / 64GB / 128GB / 256GB。上述完整 PN 只进入搜索资源和测试用例,公开字段仍由既有局部编码段规则解析。 https://my.avnet.com/wcm/connect/f6654e9b-a0e2-4424-80ca-8928280e5c8c/KIOXIA%2BEmbedded%2BFlash%2BMemory%2BBrochure.pdf?CACHE=NONE&CVID=oW06hid&ContentCache=NONE&MOD=AJPERES - KIOXIA 当前版 e-MMC 产品表: 给出 BiCS5
THGAMSG9T15BAIL/THGAMST0T25BAIL、容量和11.5x13.0x0.8封装。 https://europe.kioxia.com/en-europe/business/memory/mlc-nand/emmc.html - Toshiba
Part Number Decoder for Toshiba NAND Flash, Rev.1.3, 2010-09-24:NAND w/ controller页给出THG系列中电压、接口、控制器修订版、容量、单元类型、堆叠 die、工艺规则、封装、温度/类别和封装尺寸编码段表。
DecodePack 规则:
packages/core/src/decodepack/rules/packs/kioxia-managed-token.jsonvendor.kioxia.managed.thg.v1
PN 结构:
| 结构 | 含义 |
|---|---|
THG + 电压(1) + 类型(1) + 控制器修订版(1) + 容量(2) + 单元(1) + 堆叠 die(1) + 工艺规则(1) + 封装/类别/大小 |
Toshiba/KIOXIA 带控制器的 NAND 共享结构 |
类型 M |
eMMC |
电压 V/Y/A/B/D |
Vcc/VccQ 组合 |
| 控制器修订版 | 用单个字符表示唯一的控制器修订版 |
容量 M8/M9/G0..G9/GA/GB/GC/GD/GE/GF/T0/T1 |
256Mbit 到 2Tbit |
单元 S/D/T |
SLC / MLC / TLC |
堆叠 die 1..9/A/B |
1-9 die / 12 die / 16 die |
BMN/BMT |
eMMC 5.0, FG NAND |
BMU/BMJ |
eMMC 5.1, FG NAND |
AMV/AMS |
eMMC 5.1, BiCS 闪存 |
FG 工艺规则 A/B/C/D/E/F/G/H/J/K/L |
130 nm 到 15 nm/1z |
BiCS 设计/代际编码段 2/3/4/5/6/8/M |
BiCS2/3/4/5/6/8/4.5;该编码段位于堆叠 die 之后 |
封装 FT/TG/TA/XB/XG/BA/XL/LA |
TSOP / BGA / LGA,以及无铅和无卤标记 |
封装后缀 BAIL |
BGA, 11.5x13x0.8 |
封装尺寸编码 0/1/2/3/6/8/9/B/E/F/G/H/I/J/K |
Toshiba 解码器中的 TSOP/LGA/BGA 尺寸表 |
类别 BAI |
消费级, -25°C 至 85°C |
类别 BAU |
工业级, -40°C 至 105°C |
类别 BAC/BAB |
车规 AEC-Q100 等级 2, -40°C 至 105°C |
类别 BAA |
车规 AEC-Q100 等级 3, -40°C 至 85°C |
字段名称、单位和通用输出格式见 术语。 解码器编码段的公开边界见 术语。
THGBMNG5D1LBAITTHGBM2G9DBFBAI2THGAMVT0T43BAB8THGAMVT1T83BAB5THGAMVT0T43BAA8THGAMSG9T15BAIL
KIOXIA THG* 还覆盖 UFS 和 E2NAND,不能只靠 THG 前缀判断。当前共享规则中,THGxM 的第二个编码 M 才输出 eMMC;THGxR / THGxX 输出 E2NAND/SmartNAND。THGxX 的第一个 x 仍只按电压解释。
eMMC 的 2D FG NAND 与 BiCS 闪存共用同一套 density + cell + stacked die + design/generation 尾部结构:stacked die 只输出 die_count,BiCS 系列从其后的设计/代际编码段推定 KBiCS* 这类 die_codename。2D FG NAND 没有稳定 die 规格时不再退回输出旧制程文本。